삼성 ‘512Mb 원D램’ 세계 첫 개발

삼성전자가 최초의 퓨전메모리 ‘원낸드’에 이어 ‘제2의 퓨전메모리’인 원D램(One D램) 개발에 성공했다.

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 11일(현지시간) 미국 샌프란시스코 힐튼호텔에서 개막한 국제 전기전자공학회(IEEE) 산하 국제 전자소자학회(IEDM)에 참석,“512메가비트 원D램을 개발했다.”고 발표했다.

원D램은 모바일 D램과 S램 두 종류의 데이터 전송 메모리를 하나로 모은 퓨전 메모리 제품이다. 지금까지 모바일 기기는 통신과 부가기능을 담당하는 2개의 중앙연산처리장치(CPU)가 각각 D램을 하나씩 전용했다. 원D램은 CPU가 전용하던 2개의 램반도체를 하나로 통합하고 CPU간 공유 데이터의 양을 가변적으로 조절해 CPU간의 데이터 처리속도를 단축한 것이 특징이다.

●원D램 내년 하반기부터 상용화

원D램의 등장으로 CPU간 데이터 처리속도 등 휴대전화 성능이 기존보다 5배 정도 향상됐다는 게 삼성전자측의 설명이다. 삼성전자는 “칩 개수 최소화로 시스템 구성원가 절감, 회로 면적 50% 및 전력 소비 30% 감소 등 획기적인 성능 개선이 가능해졌다.”고 설명했다. 휴대전화로 ‘온라인 3D 게임’을 보다 안정감있게 즐길 수 있게된 것이다.

삼성전자는 원D램이 내년 하반기부터 휴대전화, 게임기 등 모바일기기에 본격적으로 탑재될 것이라고 전망했다. 내년부터 2011년까지 5년간 모두 25억달러(약 2조 5000억원)가량의 신시장을 형성할 것으로 내다봤다. 삼성전자는 2004년에는 낸드플래시와 노어플래시의 장점을 모두 갖춘 원낸드를 개발·양산했으며 2008년에는 1조원의 매출을 기대하고 있다.

●“초미세 나노공정 한계 극복이 FT 관건”

황 사장은 IEDM 기조연설에서 “전기·전자, 생명과학, 나노기술 등이 창조적으로 융합될 퓨전 테크놀로지(FT) 시대에도 반도체가 여전히 핵심역할을 하게 될 것”이라며 “FT시대가 요구하는 고용량·초소형·다기능 반도체를 구현하려면 초미세 나노 공정의 한계를 극복하는 것이 관건”이라고 밝혔다.

한편 황 사장은 12일(현지시간) 학회 회원 등 3000여명이 참석한 가운데 IEEE 이사회가 수여하는 반도체 기술분야 세계 최고 권위의 ‘앤디 그로브상’을 받았다. 황 사장은 차세대 혁신 메모리 제품 개발 성공, 메모리 신성장론 제시 및 7년 연속 ‘황의 법칙’ 입증 등의 공로를 인정받았다. 동양계 기업인으로서 ‘앤디 그로브상’을 받은 것은 처음이다.

박경호기자