반도체 거장 ‘자존심 대격돌’

‘무어의 법칙’이냐 ‘황의 법칙’이냐?

세계 반도체 업계의 두 거장 인텔과 삼성전자의 자존심 대결이 기술의 진보를 앞당기며 세계 반도체사를 새로 쓰고 있다.

●인텔, 2년마다 새로운 공정기술 선도

인텔은 최근 “세계에서 가장 앞선 65나노미터(nm) 공정 기술을 적용한 70메가비트 SRAM(Static Random Access Memory)을 개발했다.”면서 “이는 무어의 법칙에 따라 2년마다 새로운 생산 공정 기술을 선도하기 위해 노력해 온 결과”라고 밝혔다.

내년부터 양산될 예정인 65나노미터(1나노미터는 10억분의1미터) 공정은 이전의 90나노미터 공정기술로 만들어진 칩에 비해 크기가 절반으로 줄었다.

지난 1965년 인텔의 공동창업자인 고든 무어가 제창한 무어의 법칙(반도체에 집적가능한 트랜지스터의 수는 1.5∼2년만에 두 배씩 증가한다)의 유효기간을 또 한번 늘린 것이다.무어의 법칙은 한때 한계에 직면했다는 평을 듣기도 했지만 반도체 기술이 빠르게 발전하면서 여전히 정설로 통한다.

선린 차우 인텔 수석 부사장은 “인텔은 새로운 재료의 도입과 공정 방식 및 생산 구조 혁신을 통해 기술의 진보를 이루고 있다.”면서 “내년부터 생산될 65나노미터 기술을 적용한 제품을 통해 무어의 법칙은 더욱 확장될 것”이라고 자신했다.

특히 인텔은 2007년 45나노,2009년 32나노,2011년 22나노 공정기술 적용을 예고하면서 무어의 법칙에 대한 무한한 애착을 숨기지 않았다.미세 공정기술이 발달할수록 반도체의 집적도는 계속 높아진다.인텔측은 일단 2015년까지는 무어의 법칙을 지킬 수 있을 것으로 보고 있다.인텔코리아 이강석 연구소장은 “무어의 법칙을 무한정 지키기도 어렵겠지만 이를 지키기 못하겠다고 밝히기는 더더욱 어려운 일”이라고 말했다.

●삼성전자, 매년 메모리 용량 2배 늘려

2002년 세계반도체학회에서 “메모리 반도체의 집적도는 1년마다 2배씩 늘어날 것이며 그 수요는 PC보다는 디지털기기가 이끌 것”이라는 ‘황의 법칙’을 선포한 삼성전자도 일단 5년 연속 법칙을 이어가는 데 성공했다.

99년 256메가비트 난드(NAND) 플래시 개발에 이어,2000년 512메가,2001년 1기가,2002년 2기가,지난해 4기가에 이어 지난 20일 60나노 공정기반의 8기가 제품 개발을 공표했다.

삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 “수백명의 엔지니어가 휴가를 반납해 가며 1년 내내 밤잠을 설친 끝에 매년 메모리 용량을 2배씩 늘릴 수 있었다.”면서 “피눈물 나는 노력이 필요하지만 내년에도 확실한 결과(16기가)를 보여줄 수 있도록 하겠다.”고 자신의 이론에 대한 자신감을 드러냈다.

삼성전자 관계자는 “황의 법칙을 처음 내놓았을 때만 해도 2001년 극심한 반도체 불황을 겪은 터라 많은 전문가들이 반신반의했지만 지금은 완전히 사실로 정착됐다.”면서 “황의법칙은 앞으로 모바일용 반도체의 수요 확산 등을 통해 ‘반도체 신성장론’으로 확대될 것”이라고 전망했다.

류길상기자