[요즘 과학 따라잡기] 자주 국방 선도할 레이더 핵심부품/임종원 한국전자통신연구원 DMC융합연구단장
수정 2021-08-24 03:47
입력 2021-08-23 17:28
질화갈륨 전력증폭기 개발
이번에 개발한 것은 질화갈륨(GaN) 반도체 전력증폭기 집적회로 기술로 에이사 레이더의 핵심부품이다. 레이더 전단부에 스위치, 전력증폭기, 저잡음 증폭기 등 반도체 칩을 집적시켜 모듈화한 것이다. 지난해 송·수신기용 스위치 집적회로 기술을 개발한 데 이어 올해 고출력 X 및 Ku-대역 레이더 송·수신기용 전력증폭기 집적회로 기술까지 개발에 성공한 것이다.
고출력 전력증폭기는 20~25W(와트)급 출력과 2㎓(기가헤르츠) 대역폭, 30~40% 효율을 낸다. 기존 갈륨비소(GaAs) 소재 대비 10배 이상 출력이 크고, 미국과 유럽 상용제품과 성능은 대등하면서 크기는 더 작다는 특징도 갖고 있다. 연구팀은 추가 연구를 통해 송·수신 단일칩 집적회로 개발을 진행 중이다. 설계부터 제작까지 전 과정을 국산 반도체 기술로 이뤄 내면서 국방기술 자립과 군수용 반도체 수출규제까지 대비할 수 있게 됐다고 자부할 수 있을 것이다.
2021-08-24 29면
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