40나노급 DDR3 D램 양산

삼성전자, 처리속도 20% 향상

삼성전자는 21일 세계 최초로 머리카락의 4000분의1 굵기인 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)3 D램 제품 양산을 시작했다고 밝혔다. 40나노급 D램 양산으로 삼성전자는 경쟁사와의 격차를 더 벌릴 수 있게 됐다.

앞서 삼성전자는 지난 1월 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 D램을 개발했다고 밝혔었다. 이번에 양산한 40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다. 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 종전 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 낼 수 있다.



삼성전자는 40나노 DDR3시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션· 데스크톱 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM), 노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점 공급할 계획이다.

김효섭기자