하이닉스 용인 1기 팹에 31조 투입, 내년 2월 조기 준공… 수요 대응 총력

이사회, 21.6조 추가 투자 의결
‘품귀’ HBM 등 신속 공급하기로

SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹(Fab) 완공을 위해 21조 6081억원의 추가 투자를 확정했다.

25일 이사회 결의를 거친 이번 결정으로 1기 팹에 투입되는 총투자비는 기존 9조 4000억원을 포함해 약 31조원으로 늘어났다. 투자 기간은 오는 3월부터 2030년 말까지이며, 이는 급증하는 AI 반도체 수요에 선제적으로 대응하기 위한 생산 인프라 구축이 목적이다.

가장 큰 변화는 가동 시점의 단축이다. 효율적인 공정 관리를 통해 첫 클린룸 오픈 시기를 당초 2027년 5월에서 2027년 2월로 3개월 앞당겼다. 이는 고대역폭 메모리(HBM) 등 첨단 제품을 원하는 글로벌 고객사의 요구에 신속히 대응하기 위한 전략적 결정이다. 조기 가동 준비에 맞춰 실질적인 운영 체계를 적기에 구축함으로써 시장 대응력을 극대화할 방침이다.

시설 규모와 기술력도 대폭 강화된다. 용적률 완화 적용으로 내부 면적이 확장됨에 따라, 1기 팹은 2개의 건물 골조 안에 총 6개 구역의 클린룸이 순차적으로 들어서는 구조를 갖추게 된다. 또한 극자외선(EUV) 노광장비 등 최첨단 장비를 대거 도입한다. 이곳에서는 차세대 D램을 주력으로 생산하되, 시장 상황에 따라 제품군을 유연하게 변경할 수 있는 생산 체계를 마련할 예정이다.

용인 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 부지에 조성되는 세계 최대 규모의 반도체 단지다. SK하이닉스는 이곳에 총 4개의 최첨단 팹을 순차 건설할 계획이며, 이번 투자는 그 첫 단계인 1기 팹 완성을 의미한다. 단지 내에는 50여개 소부장 협력사가 입주해 ‘반도체 상생 생태계’를 형성하며, 향후 단계별로 집행될 총 투자 규모는 약 600조원에 달할 전망이다.

이번 대규모 투자는 국가 경제와 산업 전반에 막대한 파급효과를 불러올 것으로 보인다. 수조원 단위의 설비 투자는 일자리 창출과 소부장 국산화 가속화에 기여하며, 글로벌 시장에서의 경쟁력을 한층 높일 전망이다. 특히 삼성전자와의 초격차 경쟁 및 엔비디아 등 주요 고객사와의 협력 강화를 통해 HBM 시장에서의 압도적 지위를 유지하기 위한 제조 기반을 공고히 했다는 평가다.



한편 SK하이닉스는 내달 25일 정기 주주총회를 열고 사내 최고 기술 전문가인 차선용 미래기술연구원장을 신임 사내이사로 선임한다. 아울러 고승범 전 금융위원장과 최강국 변호사를 사외이사로 내정해 재무 건전성과 글로벌 투자 관리 역량을 보강한다.

민나리 기자