삼성전자·하이닉스 3대 기술협력

삼성전자와 하이닉스가 차세대 반도체 개발과 국제 표준화, 장비·재료의 국산화 확대 등 3대 기술협력에 나서기로 전격 합의했다. 두 회사가 3대 기술 협력을 추진키로 함에 따라 세계 메모리반도체 1위 국가의 위상이 더욱 강화될 것으로 보인다. 또 차세대 반도체 제품과 장비·재료 시장의 선점 등을 위해 사상 처음으로 국내 업계가 공동으로 표준화 전략을 추진한다.

지식경제부는 25일 “삼성전자와 하이닉스가 3대 기술협력을 적극 추진하기로 합의했다.”면서 “9월부터 테라비트급 차세대 반도체(STT-M램)의 원천기술 개발을 위한 공동 연구개발(R&D)을 시작한다.”고 밝혔다. 테라비트(tbps)는 1조 비트에 해당하는 정보량으로 DVD 영화 1250편을 저장할 수 있는 용량이다.STT-M램은 낸드플래시처럼 데이터가 저장되는 비휘발성이지만 처리속도는 D램보다 훨씬 빠르다.

개발 방식은 1990년대 삼성과 LG, 현대 등 반도체 3사가 64메가 D램을 공동개발한 구조와 같다. 업계는 소재 개발과 성능 평가를 맡고 정부는 공동 연구인프라의 장비 투자를 지원한다.

삼성전자와 하이닉스는 2012년부터 시장이 형성될 것으로 예상되는 STT-M램을 중점 개발할 계획이다. 현재 초기 개발 단계인 STT-M램의 원천기술을 2012년까지 확보하면 연간 로열티를 5000억원 정도 절감할 수 있을 것으로 추정된다. 삼성전자와 하이닉스는 또 반도체 장비·재료의 실질적인 국산화율을 높이기 위한 자체 국산화 전략을 추진해 내년까지 모두 6463억원의 국산 장비와 재료를 추가 구매키로 했다.

업계는 2012년 이후 반도체 생산은 450㎜ 웨이퍼 공정으로 전환될 것으로 예상됨에 따라 450㎜ 장비와 재료에 대한 국제표준을 선점한다는 전략이다. 이를 위해 지경부는 8월 중 산·학·관 공동의 ‘한국 반도체 표준화 협의체’(KSSA)를 구성하고 장비와 재료, 제품 등 3개 분야별 실무반을 운영할 계획이다. 지경부는 또 시스템반도체의 시장점유율을 2015년까지 10%로 끌어올리기 위한 발전전략을 업계와 공동으로 세우기로 했다. 우리나라는 메모리반도체 부문에서는 세계 시장점유율 44%로 1위지만 메모리반도체보다 시장규모가 3배 정도 큰 시스템반도체 부문에서는 점유율 2.2%에 불과하다.

김효섭기자