김경중 표준과학연구원 박사 ‘10억분의 1m’ 측정 기술 개발

국내 연구진이 나노미터(10억분의1m) 이하의 반도체 산화막 두께를 정밀하게 측정하는 기술을 개발했다.

김경중 표준과학연구원 박사

이 기술은 삼성전자, 하이닉스 등 국내 반도체업체에 이전됐으며, 해외 측정장비 제조사들로부터 자문 요청이 쇄도하는 등 국내외에서 높은 관심을 모으고 있다.

한국표준과학연구원 나노측정센터 김경중 박사는 기존의 표면분석법의 장점을 모아 나노미터 이하의 초박막 두께를 측정할 수 있는 기술을 개발했다고 4일 밝혔다.

또 박막 두께 측정에 사용할 수 있는 인증표준물질을 함께 개발해 국제도량형위원회의 검증을 받은 결과, 나노미터 이산화규소(SiO2) 박막의 두께 측정에서 세계 최고 수준으로 평가됐다고 연구원은 설명했다. 새 측정법은 측정과학 분야의 권위 있는 국제학술지인 메트롤로지아(Metrologia) 최신호에 소개됐다.

나노미터 이하의 산화막에 대한 정확한 측정은 최소 크기의 반도체 소자를 개발하는 데 필수적인 기술이다.



김 박사는 “지금까지 나노미터급 산화막을 측정하는 기술기준을 놓고 미국, 일본 등 세계 각국이 의견 차이를 보였으나 이번에 개발된 기술로 국제적 합의를 도출할 수 있게 됐다.”며 “차세대 반도체산업을 위한 필수 기반기술로 쓰일 것으로 기대된다.”고 말했다.

박건형기자