하이닉스 ‘3중셀’ 개발

하이닉스반도체가 원가 부담을 크게 줄인 낸드플래시(전원이 꺼져도 데이터가 날아가지 않는 비휘발성 메모리) 개발에 성공했다.

하이닉스는 3일 ‘3중셀’ 기술의 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리를 개발,10월부터 양산한다고 밝혔다.3중셀이란 하나의 셀에 세 개의 정보(3bit)를 담는 첨단기술이다. 한 셀에 두 개 정보(2bit)를 담는 기존 멀티레벨셀(MLC)보다 칩 면적이 30% 이상 줄어 생산단가가 크게 줄어든다. 하지만 셀간 간섭현상이 심해 양산으로 이어지지 못했다.

하이닉스가 세계 최초로 이 난제를 해결,3중셀 양산을 예고했다.4중셀 개발에도 도전할 방침이다.

48나노 첨단공정으로 용량도 32Gb까지 늘렸다.MP3 음악파일 8000곡,DVD화질급 영화 20편, 고해상도 사진 3만 6000장, 일간지 200년치를 담을 수 있다. 크기는 작으면서도 용량은 큰 휴대용 전자기기의 ‘진화’를 예고하는 대목이다.

안미현기자