삼성전자, 51나노 16기가 낸드플래시 세계 첫 양산 돌입

삼성전자가 세계 최초로 51나노(머리카락 두께의 2000분의1) 공정을 적용한 세계 최대 용량의 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산에 들어갔다.

●8개월만에 용량·성능 두 배 높여

낸드플래시 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 반도체이다. 주로 휴대전화,MP3플레이어,PMP 등 모바일 기기에 많이 사용된다.

삼성전자는 29일 “지난해 8월 60나노급 공정을 적용한 8Gb 낸드플래시 양산을 시작한 데 이어 8개월만에 용량과 성능을 두 배로 높인 16Gb 제품 생산을 시작했다.”고 밝혔다. 이는 삼성전자가 지난 2005년 9월에 처음 개발한 제품이다.

●2010년까지 누적 시장 규모 210억 달러

이 제품은 55∼57나노가 주류를 이루고 있는 다른 업체들의 50나노급 제품과 월등한 성능 차이를 보여 시장 반응이 주목된다. 특히 이 제품이 양산됨으로써 황창규 반도체부문 총괄사장이 밝힌 반도체의 집적도가 해마다 2배씩 높아진다는 ‘메모리 신성장론’이 또 한번 증명됐다.

반도체 업계는 50나노급 16Gb 제품은 내년에 시장 주력 제품으로 떠올라 2010년까지 누적 시장 규모가 210억달러대로 성장할 것으로 예상했다.

삼성전자 관계자는 “낸드플래시 개발과 양산 두 분야 모두에서 기술 리더십을 유지하고 있음을 다시 증명하게 됐다.”며 “51나노 기술을 적용한 낸드플래시는 기존 60나노급 제품에 비해 60% 정도 생산성 향상이 가능하다.”고 말했다.

51나노 16Gb 낸드플래시는 기존의 멀티레벨셀(MLC·한 셀에 2개의 데이터 저장) 낸드플래시의 약점을 보완했다는 특장점도 갖고 있다. 그동안 MLC는 고용량 구현은 가능했지만 읽기 속도를 높이는 데 한계가 있다는 점이 지적돼 왔다.

삼성전자는 “51나노 16Gb 제품은 4킬로바이트(KB)를 기본 단위로 데이터를 처리,60나노급 낸드 플래시에 비해 읽기·쓰기 속도가 2배 정도 빠르다.”고 설명했다.

●칩 1개에 164억개 트랜지스터 집적

51나노 16Gb 낸드플래시는 손톱만한 칩안에 164억개의 트랜지스터를 집적한 것이다.

16Gb 16개를 합친 32기가바이트(GB) 메모리카드로 만들면 DVD급 영화 20편(약 32시간) 또는 MP3파일 8000곡이나 일간지 200년치 분량 저장이 가능하다.

삼성전자는 “신제품 출시와 동시에 이를 지원하는 최적의 소프트웨어를 제공할 예정이다.”면서 “51나노 16Gb MLC 낸드플래시는 출하와 동시에 시장이 본격적으로 확대될 전망”이라고 말했다.

이기철기자