플래시 메모리 대체 ‘Re램’ 원천기술 세계 첫 개발

차세대 메모리시장 선점

현재 널리 쓰이는 ‘플래시 메모리’ 반도체를 대체할 수 있는 차세대 핵심기술을 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다. 플래시 메모리는 D램과 달리 전원을 꺼도 저장된 정보가 손상되지 않는 비휘발성 때문에 디지털카메라와 MP3플레이어, 휴대전화 등에 널리 활용되고 있다.

황현상 광주과학기술원 교수

8일 산업자원부에 따르면 광주과학기술원 황현상 교수팀이 기존 플래시 메모리의 단점을 극복할 수 있는 ‘Re램’(ReRAM·저항변화 메모리) 소자의 원천기술을 개발하는 데 성공했다.

플래시 메모리는 정보의 쓰기·지우기 시간이 느리고, 저장용량 32기가비트(Gb,1Gb=10억b)급 이상의 제품 생산이 어렵다는 단점이 있다. 황 교수팀은 이같은 문제를 극복할 수 있는 ‘단결정 스트론튬타이타늄옥사이드’(SrTiO3)라는 핵심물질과 이 물질의 특성을 유지시키는 표면처리 공정을 개발한 것. 실제 실험에서도 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지되고,1000만번 이상 정보 쓰기·지우기 동작이 가능한 것으로 확인됐다.

이에 따라 테라비트(Tb,1Tb=1조b)급 고용량 차세대 메모리 시장을 우리나라가 선점할 수 있을 것으로 기대된다.1Tb는 신문 800만장 또는 음악 3만 2000곡, 영화 32편을 한꺼번에 저장할 수 있는 용량이다.

또 비휘발성(플래시) 메모리 부문의 시장 전망도 밝다. 지난해 기준 세계 반도체 시장 규모는 2200억달러(약 220조원)이며, 이 가운데 비휘발성 메모리는 전체의 7%인 150억달러다. 그러나 올해 비휘발성 메모리 시장은 지난해보다 20% 성장한 180억달러에 달할 것으로 예상된다.

장세훈기자