SOI이용 1기가D램 세계 첫개발

◎현대전자 “데이터 처리 20% 빨라져”

현대전자(대표 정몽헌)가 세계 최초로 차세대 반도체 소자인 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI)를 이용한 1기가 싱크로너스D램 개발에 성공했다고 12일 발표했다.

김영환 현대전자 사장은 이날 『일본 등 선진 반도체 업계에서도 진행중인 SOI 웨이퍼를 이용한 기가급 반도체 개발에 현대전자가 업계 처음으로 성공해 1기가 싱크로너스 D램을 개발했다』고 말했다.

새로 개발된 D램은 0.4μ(1μ은 1백만분의 1m) 두께의 실리콘 절연막 위에 다시 실리콘 박막을 입힌 SOI 웨이퍼로 1.8∼2.2V의 저전압에서도 5나노초(1나노는 10억분의 1)의 초고속으로 데이터처리를 실현할 수 있다.

이 반도체는 삼성전자가 지난해 11월 세계 최초로 기존 방식의 벌크 SI 웨이퍼를 이용한 1기가 D램(30나노초)보다 6배 빠르며,이를 이용할 경우 데이터처리 속도가 전체적으로 20%가 빠르다고 현대전자는 밝혔다.<조명환 기자>