70나노 플래시메모리 첫 개발/삼성전자, 세계 최초로

삼성전자는 세계 최초로 70나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 적용한 4기가 난드(NAND·데이터저장형) 플래시메모리 개발에 성공했다고 29일 발표했다.

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나노 공정은 반도체 칩 회로의 선폭을 머리카락 굵기의 10만분의 1 수준으로 만드는 미세기술로 이를 적용하면 지금까지의 미크론급 공정에 비해 생산성이 2배 이상 증가한다.

또 4기가 난드 플래시메모리가 상용화되면 MP3 음악파일 기준 2000곡(170시간)과 8시간 분량의 영화를 저장할 수 있는 8기가바이트급 메모리카드의 공급이 이뤄지게 된다.

삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 이날 서울 신라호텔에서 기자회견을 갖고 “나노 반도체 시대가 본격 개막됐다.”고 선언했다.



삼성전자는 ▲80나노 공정을 적용한 512메가 DDR D램 양산기술 확보 ▲난드 및 노아(NOR)플래시의 장점을 융합한 ‘퓨전메모리’ 출시 등의 내용도 함께 공개했다.

박홍환기자