삼성 나노공정 반도체 양산 / 세계 처음… 가격 절반이하 낮춰 경쟁력 강화

삼성전자가 세계 최초로 다음달부터 나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 적용,플래시메모리를 양산한다.

이 회사 황창규(黃昌圭) 사장은 “다음달부터 경기도 기흥 반도체공장 8라인에서 90㎚ 공정을 적용,양산키로 했다.”고 1일 말했다.

반도체업계 1위 인텔 등은 빨라야 올 하반기부터 나노 공정 제품을 양산할 것으로 보여 삼성전자는 가격경쟁력면에서 인텔보다 우위에 서게 됐다.

나노 공정은 반도체 칩 회로의 선폭을 머리카락 굵기의 10만분의 1 수준으로 만드는 미세 기술.지금까지는 0.10㎛(미크론·1㎛=100만분의 1m)이 한계였다.따라서 나노 공정을 적용할 경우 최소한 30% 이상 생산성이 향상된다.

삼성전자는 당초 올 7∼8월쯤 반도체 12라인(건설중)에서 나노 공정을 적용한 반도체를 양산할 계획이었지만 이번에 그 시기를 앞당겼다.반도체업계에서는 누가 나노 공정을 가장 빨리 적용할지가 최대의 관심사였다.그만큼 다른 업체에 비해 원가경쟁력이 높아지기 때문이다.인텔,삼성전자 등 세계의 반도체업체들이 300㎜ 웨이퍼 전용라인과 함께 나노공정에 집중 투자한 것도 같은 맥락이다.

경쟁업체들에 비해 삼성전자가 최소한 1∼2개월 먼저 나노 공정의 양산에 성공함에 따라 세계 반도체 업계에는 일대 파란이 일 것으로 보인다.더욱이 황 사장이 “플래시메모리 가격을 절반 이하로 떨어뜨릴 수 있는 신기술을 적용한 제품을 본격 생산,미국 일본 등의 세트업체에 제공하기 시작했다.”고 밝혀 플래시메모리 시장을 주도하고 있는 인텔과의 격전이 예상된다.삼성전자는 지난해 세계 플래시메모리 시장 점유율 12.2%(11억 8200만달러)로 인텔(점유율 20.%,19억 3700만달러)에 이어 2위를 차지했다.

삼성전자는 특히 나노 공정을 적용한 제품을 NAND(데이터저장형) 플래시메모리로 특화시켜 인텔이 장악하고 있는 NOR(코드저장형) 플래시메모리 시장을 공략할 계획인 것으로 알려졌다.더욱이 하반기 가동을 시작하는 12라인에서도 나노 공정을 적용한 D램과 플래시메모리가 쏟아져 나오게 돼 당분간 삼성전자는 업계 최고 수준의 가격경쟁력을 유지할 것으로 보인다.

박홍환기자