16M 싱크로너스 D램/자체기술로 샘플 생산/현대전자
수정 1994-12-22 00:00
입력 1994-12-22 00:00
현대전자는 21일 순수 자체기술로 개발한 16메가 싱크로너스 D램의 상업용 샘플을 선보였다.내년부터 본격 생산한다.
현대전자는 『싱크로너스 D램의 작동 속도는 6나노초(1나노초는 10억분의 1초)로,이 분야 선두 개발업체인 일본 NEC제품(8나노초)보다 뛰어나다』며 『지금까지 발표된 싱크로너스 D램 중 가장 속도가 빠르다』고 밝혔다.
싱크로너스 D램은 고속 마이크로 프로세서나,멀티미디어용 칩과 병행해서 사용되는 고속 메모리 반도체이다.1초에 한글 1억6천5백만자를 전송할 수 있다.칩안에 2개의 독립적인 D램 반도체를 삽입,충전시간을 없애고 처리시간을 줄여 고속효과를 높일 수 있다.
이 제품은 내년부터 사용이 크게 늘어 오는 96년에는 전체 16메가 D램 시장의 20%,97년에는 30%를 차지할 것으로 예상된다.<곽태헌기자>
1994-12-22 9면
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