“日 엘피다 25나노 D램 개발”

삼성전자·하이닉스 “의문”

일본 반도체 업체인 엘피다 메모리가 회로 폭을 25나노미터(10억분의 1m)로 줄인 D램을 개발하는 데 성공, 7월부터 양산체제에 들어간다고 니혼게이자이신문이 2일 보도했다. 이 신문은 지금까지 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서는 삼성전자가 앞섰지만 엘피다가 이를 뒤집었다고 전했다.

하지만 D램 미세공정 분야에서 세계시장을 선도하고 있는 삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내업체들은 의구심을 떨치지 못하고 있다. 40나노급에서도 제대로된 생산을 못하고 있는 엘피다가 30나노급을 뛰어넘어 20나노급에서 안정적으로 제품을 생산하기란 불가능하다는 게 관련업계의 지배적인 의견이다.

국내업체들은 현재 40나노급을 주력으로 하며, 30나노급 비중을 높이고 있는 중이다. 20나노급은 현재 개발 중이다. 엘피다는 올해 안에 4기가바이트 D램 생산도 시작할 예정이라고 신문은 전했다.

국내 업체들은 엘피다의 과거 전력을 들어 이번 발표를 신뢰할 수 없다는 입장이다. 엘피다는 지난 2009년 40나노급 공정을 적용한 D램을 양산하기 시작했다고 밝혔지만 현재 엘피다의 40나노급 제품을 찾아보기 힘든 실정이다.

도쿄 이종락특파원