삼성전자 4기가 DDR3 세계 첫 개발

2기가 개발 5개월 만에

삼성전자는 29일 전력 소비를 줄이면서도 용량은 늘린 ‘50나노급 4기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)3 D램’을 세계최초로 개발했다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 개발한 뒤 5개월 만에 용량을 두배 늘린 제품을 만든 것이다. 이번에 개발된 4Gb DDR3 D램은 공정과 제조원가를 낮출 수 있어 D램의 세대교체를 주도할 전망이다.

아울러 PC와 서버업계 등에서 확산되고 있는 ‘친환경, 그린’ 요구에도 맞출 수 있다. 전력사용량을 줄일 수 있기 때문이다. 이번에 개발된 제품을 사용할 경우 기존의 2Gb 제품에 비해 30%가량, 1Gb제품에 비해서는 70%까지 전력소비를 줄일 수 있다.

삼성전자 관계자는 “이번에 개발한 4Gb D램을 앞세워 DDR3시장에서 주도권을 지속적으로 유지하게 됐다.”고 말했다.

삼성전자는 지난 1992년 세계 최초로 64메가비트(Mb) D램을 개발하면서 D램 시장 정상에 올랐다. 이후 256Mb, 1Gb, 2Gb D램을 차례로 가장 먼저 개발하면서 기술 주도권을 지켜 왔다. 2007년 60나노급 공정의 2Gb DDR2 D램을 개발한데 이어, 지난해 9월 50나노급 공정 2Gb DDR3 D램을 역시 세계 최초로 개발했다.



이번 개발성공으로 삼성전자의 반도체 경쟁력을 한층 더 높일 전망이다. 삼성전자의 기존 1Gb, 2Gb DDR3 제품과 함게 4Gb까지 확보함으로써 차세대 제품에서도 우위를 차지해 고가·고사양 시장에서 주도권을 확보하게 된 셈이다.

김효섭기자