차세대 퓨전메모리 첫 개발
박건형 기자
수정 2008-07-15 00:00
입력 2008-07-15 00:00
KAIST 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터는 기존 플래시메모리와 D램이 한 개의 메모리 트랜지스터에서 복합 기능을 수행, 제작비용은 줄이고 집적도는 높인 ‘U램’을 개발했다고 14일 밝혔다.
U램은 메모리 트랜지스터 하나로 D램 기능과 플래시메모리 기능을 모두 수행할 수 있게 한 반도체 소자로,D램과 플래시메모리 등 서로 다른 칩을 차례로 쌓아 만든 멀티칩 패키지 형태의 기존 퓨전메모리와는 근본적으로 다르다.
현재 널리 쓰이는 멀티칩 패키지 형태의 퓨전메모리는 면적을 줄이는 효과는 있지만 제작비용은 오히려 더 많이 들어가는 문제가 있다.
이들은 앞으로 디지털 카메라와 개인휴대용정보단말기(PDA), 게임기, 휴대전화 등에 U램 채택이 가속화할 것으로 전망하고 전체 반도체시장에서 퓨전메모리 시장점유율을 5%로 가정할 때 U램의 시장규모가 2010년 150억달러(약 15조원),2015년 204억달러로 성장할 것으로 예측했다.
최 교수는 U램이 2∼3년 안에 상용화가 가능할 것이라고 내다봤다.
최 교수는 “U램은 디지털TV, 휴대용 정보기기 등의 발달에 따른 다기능·고성능화에 대응할 수 있는 차세대 퓨전메모리”라며 이번 개발은 반도체 메모리분야의 원천기술과 실용성을 동시에 확보했다는 데 의의가 있다고 설명했다.
박건형기자 kitsch@seoul.co.kr
2008-07-15 2면
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