50나노급 D램 양산 개시

삼성전자·하이닉스, 업계 처음

삼성전자와 하이닉스반도체가 해외 경쟁업체들을 제치고 나란히 50나노급 D램 메모리 양산을 개시하면서 대한민국의 반도체 파워를 전세계에 과시하고 있다. 이미 60나노급 공정에서도 두 회사밖에는 본격 양산에 들어간 업체가 없었던 상황에서 새로이 50나노 공정 시대를 열어젖힘에 따라 국내 업체들과 외국업체들간의 격차는 더욱 벌어지게 됐다.

20일 삼성전자와 하이닉스에 따르면 삼성전자는 이달 56나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작했으며, 하이닉스도 다음달부터 54나노 D램을 양산할 계획이다.



‘나노(nano)’란 반도체를 구성하는 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)을 말하는 것으로 공정이 미세화될수록 생산성이 높아진다. 또 이를 통해 더 큰 용량, 더 작은 크기의 반도체를 만들어낼 수 있다.1나노는 10억분의1m로 사람 머리카락 굵기의 10만분의1에 해당한다. 미국 마이크론, 일본 엘피다 등 경쟁업체들은 아직 양산기술이 70∼80나노 수준에 머물러 있다.

김효섭기자