‘하이닉스의 역공’

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안미현 기자
수정 2007-12-05 00:00
입력 2007-12-05 00:00
하이닉스반도체의 역공이 시작됐다. 내년 1월 세계 최초로 40나노급 낸드플래시(전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 비휘발성 메모리) 반도체 생산에 들어간다. 이 분야 세계 1·2위인 삼성전자·도시바와의 본격 3파전 서막이 올랐다.

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출발 늦은 하이닉스,48나노로 승부수

하이닉스는 4일 “48나노 공정으로 16기가비트(Gb) 용량의 낸드플래시 제품 개발에 성공했다.”면서 “이달 중 주요 고객사에 샘플을 공급한 뒤 내년 1·4분기 중에 본격 양산에 들어간다.”고 밝혔다.

현재 삼성전자는 16기가 제품을 51나노 공정으로, 도시바는 56나노 공정으로 만들고 있다. 세계 서열 3위인 하이닉스가 40나노급 적용은 맨처음 한 것이다.

나노는 반도체 회로의 선폭을 재는 단위이다. 숫자가 작아질수록 선폭이 얇아진다. 똑같은 원판(웨이퍼)에서 좀 더 많은 반도체 칩을 만들 수 있음을 의미한다.

올초 60나노급 8기가에서 올 11월에야 50나노급(57나노) 8기가로 옮겨갔던 하이닉스는 불과 두어달새 40나노급으로 또 한번 ‘점프’했다.16기가를 굳이 40나노급으로 만드는 이유에 대해 하이닉스측은 “어차피 개발이 한발 늦은 상태에서 경쟁업체가 이미 하고 있는 50나노급 공정으로는 추격이 어렵다고 판단했다.”면서 “처음부터 57나노는 거쳐가는 단계로 큰 비중을 두지 않았다.”고 털어놓았다.40나노급에 승부수를 걸었다는 얘기다.

삼성전자,“용량 안 따라 아직 적수 못돼”

삼성전자측은 “생산공정은 용량과 함께 진화해야 하는데 하이닉스는 40나노급에서 (이미 우리가 만드는)16기가 제품을 만든다.”며 40나노급 공정 적용 자체는 큰 의미가 없다고 평가했다. 삼성전자와 도시바는 내년에 40나노급 공정을 적용한 32기가 제품을 각각 내놓을 계획이다.

삼성전자측은 “하이닉스의 이번 제품 개발 의미는 공정보다 오히려 (삼성전자, 도시바에 이어)세계 세번째로 16기가 제품 양산에 들어갔다는 데서 찾아야 한다.”며 “내년에 낸드시장의 주력제품이 8기가에서 16기가로 옮겨갈 것이 확실시되기 때문에 본격 3파전이 펼쳐질 것”이라고 내다봤다.

하이닉스측도 “종전까지는 1,2위와의 격차가 커 세계 3위라고 말하기가 좀 민망했지만 올 3분기에 처음으로 세계 시장점유율 20%대로 올라서면서 진검승부가 가능해졌다.”고 장담했다. 하이닉스는 3분기에 전분기보다 무려 86.1%나 늘어난 8억달러 매출을 기록, 배 가까이 벌어져있던 2위(11억달러)와의 격차를 대폭 줄였다. 하이닉스측은 “똑같은 16기가라도 48나노로 만드는 만큼 생산성 우월”을 장담하지만 삼성전자측은 “생산성을 결정짓는 것은 수율(불량 없이 정상품이 나오는 비율)”이라고 일축했다. 낸드 플래시는 휴대전화, 디지털카메라, 컴퓨터 등에 응용된다. 생산업체간 경쟁이 치열해지면 그만큼 더 싸고 진화된 완제품이 나오게 돼 소비자로서는 즐거운 현상이다.

안미현기자 hyun@seoul.co.kr
2007-12-05 19면
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