차세대 반도체 개발 길 열렸다

국내 연구진이 차세대 자성 반도체 개발의 초석이 될 ‘강자성 코발트 실리콘 나노선’을 합성하는 데 성공했다.

한국과학기술원(KAIST) 김봉수 교수 연구팀은 23일 자성을 띠지 않는 코발트실리콘(CoSi)도 극미세 나노선으로 만들면 강한 자성을 띤다는 사실을 세계 최초로 규명했다고 밝혔다.

자성 반도체는 자성체이면서 반도체인 물질을 의미한다.

연구팀은 실리콘 기판과 할로겐화 코발트 화합물을 반응시켜 코발트 실리콘 나노선을 합성했다. 기존 방법보다 훨씬 간단한 합성 공정이다.

연구를 지원한 과학기술부 나노소재기술개발사업단 서상희 단장은 “이번 연구는 차세대 반도체의 하나인 자성반도체의 재료가 될 수 있는 새로운 물질을 만들어냈다는 데 큰 의의가 있다.”고 평가했다.

연구팀은 “이번 기술을 한 단계 발전시키면 3차원 메모리 소자 개발이 가능해져 메모리 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다.”면서 “이런 소재를 활용한 차세대 메모리 개발이 성공하면 세계 메모리 시장에서 선도적 위치를 차지할 수 있게 된다.”고 말했다.

이번 연구결과는 미국화학회의 학술지 ‘나노 레터스’ 4월13일자 온라인판에 실렸다.

이영표기자