세계 최소형 플래시 메모리 개발
이영표 기자
수정 2007-03-14 00:00
입력 2007-03-14 00:00
한국과학기술원 전자전산학과 최양규교수 연구팀과 나노종합팹센터는 13일 ‘실리콘 나노선’과 ‘소노스(SONOS)기술’을 결합한 8㎚(니노미터:10억분의1m)급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다.8㎚ 반도체기술은 성인 머리카락 한 올을 1만 2000가닥으로 자를 수 있는 기술에 해당한다. 비휘발성 메모리는 전원공급이 끊겨도 저장된 데이터가 사라지지 않고 보존되는 것이 특징이다. 연구팀은 이번에 개발된 기술이 상용화되면 삼성전자가 지난해 개발한 현재 세계 최고 수준의 40㎚급 32기가비트(Gb) 메모리칩보다 크기는 25분의1로 줄이면서도 집적도는 25배 늘릴 수 있을 것이라고 기대했다. 특히 이번 성과는 ‘황의 법칙’이 10㎚급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성을 제시했다는 평가를 받고 있다.
‘황의 법칙’은 해마다 메모리 용량이 2배로 늘어난다는 이론으로 황창규 삼성전자 반도체 총괄 사장이 지난 2002년 국제 회의에서 주창한 ‘메모리 신성장론’이다.
한국과학기술원은 이번 기술이 상용화될 경우 낸드플래시 시장 창출 효과가 10년간 250조원이 넘을 것으로 예상하고 있다. 연구 결과는 오는 6월12일 일본 교토에서 개막되는 ‘초고집적회로 국제학회’에서 발표될 예정이다.
이영표기자 tomcat@seoul.co.kr
2007-03-14 16면
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