60나노 1기가비트 D램 삼성 세계 첫 양산 개시

D램(전원을 끄면 저장된 데이터가 지워지는 반도체)의 기가 시대가 열렸다.

삼성전자는 1일 세계 최초로 60나노(10억분의 1m·반도체 회로의 선폭)급 공정을 적용한 1기가비트(Gb·10억비트) DDR2 D램 대량 생산에 들어갔다.60나노급 공정은 삼성전자가 지난해 3월 시작한 80나노보다 40% 이상, 업계 주력인 90나노보다는 2배 이상 생산성이 높다. 원가 경쟁력을 획기적으로 개선할 수 있다.

특히 이번의 60나노 공정에는 삼성전자의 독자적인 RCAT 기술이 적용된 데 의미가 크다.D램 셀(Cell·기억소자)의 트랜지스터를 이전의 평면에서 입체적 방식으로 제작할 수 있는 초미세 기술이다. 또 ‘금속 기반 커패시터(데이터 저장영역)’ 기술이 적용됐다. 커패시터의 데이터 저장 특성을 획기적으로 개선했다.

60나노급 D램은 대용량 메모리에 주로 쓰인다. 그래픽(게임기 등)·모바일(휴대전화 등) D램 등에서도 확대 적용이 가능하다.

이기철기자