삼성전자 70나노D램 세계 최초로 개발

삼성전자가 세계 처음으로 70나노급 D램을 개발했다.

삼성전자는 13일 첨단 70나노(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. 이로써 2001년 100나노,2002년 90나노,2003년 80나노에 이어 이번에 70나노급의 4세대 D램 기술을 개발, 지속적으로 세계 D램시장을 주도할 수 있게 됐다.

나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술로, 삼성전자가 이번에 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다.70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하는 90나노 512메가 DDR2 제품보다 생산성이 2배 높으며,1.8V 저전압 동작으로 PC를 비롯한 컴퓨팅 시스템뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현한다. 삼성전자는 이번에 개발한 70나노 512메가 D램은 내년 하반기 양산에 돌입한다.

김경두기자