차세대 메모리 ‘M램’ 원천기술 개발

차세대 메모리인 ‘마그네틱 램’(MRAM) 상용화의 걸림돌이었던 높은 전력 사용량을 획기적으로 줄일 수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.M램은 S램의 고속 정보처리 능력, 플래시메모리의 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 비휘발성,D램의 고집적화 등 기존 메모리 소자들의 장점을 두루 갖추고 있어 전세계적으로 앞다퉈 개발이 이뤄지고 있다.

고려대 김영근 교수는 11일 “신소재인 ‘비정질 강자성체’(NiFeSiB 및 CoFeSiB)를 개발,M램을 구성하는 셀 사이의 자기저항을 최소화해 전력 사용량을 기존의 7분의1 수준으로 감소시켰다.”고 밝혔다.

그동안 M램은 차세대 메모리로 각광을 받았지만 메모리를 구성하는 셀과 셀 사이의 자기저항이 커 전력 사용량이 많았기 때문에 고집적화에 어려움을 겪었다.

김 교수는 “이번 연구를 통해 M램 분야의 원천기술을 확보했으며 앞으로 2∼3년 후에는 상용화가 가능할 것”이라면서 “특히 M램 개발 외에도 다양한 나노 신소재 분야에서 파급 효과가 클 것”이라고 전망했다.

이번 연구성과는 오는 22일 미국 응용물리학회지(APL)에 실릴 예정이다. 연구팀이 개발한 신소재는 미국과 일본 등지에서 특허출원 중이다.

장세훈기자