삼성, 90나노 기가비트 D램 양산
삼성전자는 90나노(1나노=10억 분의 1m, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다고 23일 밝혔다.
90나노 공정은 기존의 0.11㎛(미크론·110나노)급 공정 대비 약 40%의 생산성 향상 효과가 있어 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 기술이다. 현재 다른 반도체업체들은 110나노 공정 적용에도 어려움을 겪고 있는 실정이다.
삼성전자는 지난 96년 1Gb D램 개발에 성공하며 ‘기가시대’를 개막했지만 당시 공정은 0.18㎛였다.99년 1Gb DDR 개발은 0.13㎛에서 이뤄졌고 지난 2003년 7월에는 0.10㎛를 적용해 1Gb DDR을 양산하며 ‘나노&기가’시대를 준비했다.‘나노시대’는 지난해 9월 90나노 512Mb DDR 생산으로 시작, 이후 512Mb DDR2 및 512Mb 그래픽 DDR3에도 90나노 공정이 적용됐지만 기가급에 적용되기는 이번이 처음이다.
이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667로 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득했다.
기가급 D램은 최근 PC 환경이 64비트 시대를 맞이하면서 메모리의 용량도 지속적으로 증가할 것으로 분석돼 ‘전성기’를 예고하고 있다.
반도체 시장조사 전문기관 데이터퀘스트에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 전환, 본격적 대용량 D램 시대를 맞이할 전망이다.
류길상기자 ukelvin@seoul.co.kr
