70나노 난드플래시 첫 양산

플래시메모리 1위인 삼성전자가 세계 최초로 70나노미터 공정의 4Gb(기가비트) 난드(NAND)플래시 메모리의 양산을 시작했다. 플래시 메모리 전용 300㎜ 라인인 14라인도 가동을 개시했다.

삼성전자는 30일 황창규 반도체 총괄 사장과 김재욱 제조담당 사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데 70나노 4Gb 난드플래시 양산 출하식을 가졌다. 이 제품은 D램 라인인 8라인에서 양산된다.

업계 최초로 70나노 공정을 적용해 양산하는 제품으로 셀 하나에 1개의 데이터를 저장하는 ‘SLC(Single Level Cell)’ 기술을 적용했으며, 데이터를 저장하는 셀 면적은 0.025제곱마이크로미터다. 이는 성인 머리카락 단면 평균면적(7853제곱마이크로미터)의 31만 4000분의1에 불과하다.

삼성전자는 또 이날 업계 첫 플래시 메모리 전용 300㎜ 라인인 14라인의 가동을 시작했다.14라인은 300㎜ 90나노 2Gb 플래시 메모리 4000장을 시작으로 본격적인 가동에 돌입했으며,6월 말에는 70나노 공정을 적용한 4Gb 제품을 양산할 계획이다. 삼성전자는 14라인의 양산 규모를 올해 말까지 1만 5000장 규모로 확대할 계획이다.

류길상기자