삼성전자 1기가 퓨전메모리 개발

난드(NAND)플래시에서는 압도적인 세계 1위지만 노아(NOR)플래시에서는 고전을 면치 못하는 삼성전자가 퓨전메모리로 노아시장을 두드리고 있다.

삼성전자는 90나노미터 공정을 적용, 난드플래시,S램 및 로직을 하나의 칩에 집적한 1기가비트 ‘원낸드(OneNAND)’ 퓨전메모리를 개발했다고 10일 밝혔다.

원낸드는 미국 램버스사의 ‘램버스D램’처럼 삼성전자 고유의 제품으로 난드플래시에 S램, 로직을 더해 난드의 쓰기 능력과 노아플래시의 읽기 능력을 동시에 구현한다. 따라서 동영상 수요가 큰 3세대 휴대전화를 중심으로 수요가 급증할 전망이다.

1기가 원낸드는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노아플래시보다 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기속도와 난드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현, 실시간 읽기·쓰기가 가능하다.

휴대전화의 부팅시간을 대폭 줄여주고 500만 화소급 사진 60장을 연속 촬영할 수 있다.



삼성전자는 지난해 플래시메모리에서 22억 9000만달러의 매출을 올렸다. 난드가 20억달러였던 반면 노아는 2억 9000만달러에 그쳤다. 내년 전세계 노아시장은 75억 7000만달러로 예상된다.

류길상기자