하이닉스 新모바일 D램 개발
수정 2009-04-28 00:54
입력 2009-04-28 00:00
하이닉스는 27일 54나노 기술을 적용한 세계 최고 성능의 1기가비트(Gb) 모바일 LP DDR2 D램 제품을 개발했다. 세계 최초로 평균 1.2V의 저전압에서도 초고속인 초당 1066메가비트(Mb)를 전송할 수 있다. 기존 모바일 D램(DDR)의 절반에 불과한 전력으로도 작동한다. 전송속도도 빨라 영화 5~6편을 1초에 내려받을 수 있다.
하이닉스는 “소비전력은 적으면서도 빠른 속도를 갖춰 휴대전화·넷북·고성능 스마트폰 등에 적합하다.”고 밝혔다.
김효섭기자 newworld@seoul.co.kr
2009-04-28 16면
Copyright ⓒ 서울신문 All rights reserved. 무단 전재-재배포, AI 학습 및 활용 금지

