루트세미콘-SK파워텍, 차세대 SiC 전력반도체 국산화 성과…첫 엔지니어링 런 수율 80% 달성

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세줄 요약

• 루트세미콘-SK파워텍, SiC MOSFET 국산화 성공
• 첫 엔지니어링 런 평균 수율 80% 달성
• 국내 생산 기반 확보, 공급망 다변화 기대

1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET 개발 성공…국내 생산 기반 확보로 공급망 경쟁력 강화

(루트세미콘 제공)

차세대 전력반도체 설계 전문기업 ㈜루트세미콘과 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 전문 제조기업 SK파워텍이 협업을 통해 차세대 SiC 전력반도체 국산화 개발에 성공하고, 첫 번째 엔지니어링 런(Engineering Run·시제품 생산)에서 평균 수율 80%를 달성했다고 밝혔다.

양사는 이번 기술 협력을 통해 고성능 SiC 전력반도체의 국내 생산 기반을 마련하는 동시에, 해외 파운드리(위탁생산)에 의존해 온 기존 공급망 체계를 다변화하는 계기를 확보하게 됐다. 이에 따라 향후 전기차 및 전장 부품 등 고부가가치 전력반도체 시장 진입에도 속도를 낼 전망이다.

루트세미콘과 SK파워텍은 지난 4월 ‘SiC MOSFET 파운드리 제품 개발 계약’을 체결하고 공동 개발에 착수했다. 이어 5월에는 1200V 11mΩ 사양의 대면적 SiC MOSFET에 대한 첫 Tape Out을 완료했으며, 6월 29일 첫 Fab Out을 성공적으로 마무리했다.

특히 첫 번째 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 기록한 점이 주목된다. 대면적 고전압 SiC MOSFET은 제조 난도가 높은 제품군으로 꼽히며, 초기 개발 단계에서 높은 수율을 확보하는 것은 설계 최적화와 공정 기술의 완성도를 보여주는 지표로 평가된다.

이번 성과는 루트세미콘의 SiC 전력반도체 설계 기술과 SK파워텍의 SiC 파운드리 공정 기술이 결합해 얻은 결과라는 설명이다. 양사는 이를 기반으로 기존 해외 파운드리에 의존했던 생산 체계를 국내로 전환할 수 있는 기반을 마련했으며, 공급망 안정성과 생산 효율을 동시에 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

국내 생산 체계 구축은 글로벌 공급망 불확실성에 대응하는 것은 물론 제품 리드타임 단축과 생산 경쟁력 향상에도 긍정적인 효과를 가져올 것으로 전망된다. 양사가 개발한 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET은 전기차(EV) 충전기 등 자동차 전장 분야를 주요 적용 시장으로 겨냥하고 있으며, 향후 Auto용 SiC 전력반도체 시장 확대에도 적극 대응한다는 계획이다.

SK파워텍 역시 이번 공동 개발을 통해 자사의 SiC 파운드리 제조 역량과 공정 경쟁력을 입증하는 계기를 마련했다. 양사는 앞으로도 협력을 확대해 국내 전력반도체 산업 경쟁력 강화와 SiC 생태계 활성화에 기여한다는 방침이다.

장근호 루트세미콘 대표는 “SK파워텍의 우수한 공정 기술력을 바탕으로 첫 엔지니어링 런에서 80%의 높은 수율을 확보할 수 있었다”며 “해외에 의존하던 SiC MOSFET 생산을 국내로 전환해 반도체 국산화를 실현하고 글로벌 시장 경쟁력을 더욱 강화해 나가겠다”고 말했다.



이동재 SK파워텍 대표는 “루트세미콘과의 긴밀한 기술 협력을 통해 의미 있는 개발 성과를 거둘 수 있었다”며 “본격적인 양산 단계에서도 안정적인 품질과 공급 체계를 기반으로 글로벌 전력반도체 시장 경쟁력 확보를 적극 지원하겠다”고 밝혔다.

양승현 리포터