“SK하이닉스, 하이브리드 본딩 도입…2029년 HBM5 출시 전망”

카운터포인트리서치 전망…“전략적 우위·시장 리더십 유지”

열압착 본딩과 하이브리드 본딩 기술 비교
자료: 카운터포인트 리서치, BESI

SK하이닉스가 차세대 D램 적층 기술인 ‘하이브리드 본딩’을 조기에 도입해 2029년 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5를 출시할 것이란 전망이 나왔다. 하이브리드 본딩은 적층 과정에 구리와 구리를 직접 붙여 D램 간 간격을 최소화하는 기술로, 데이터 전송과 방열에 용이한 기술 선점을 통해 시장 우위 굳히기에 나설 것이란 예측이다.

6일 시장조사업체 카운터포인트 리서치는 “SK하이닉스는 어플라이드 머티리얼즈와 BE 세미컨덕터 인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 조기에 도입함으로써 향후 대역폭, 지연 시간, 전력, 속도 등 다양한 성능 요구를 충족할 수 있는 전략적 우위를 확보하고 있다”며 이같이 밝혔다.

HBM은 JEDEC(국제표준기준)의 기준 완화로 최대 16단까지 열압착 본딩(TCB) 사용이 가능하다. 하지만 엔비디아 등 주요 빅테크 업체들이 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어 장기적으로는 하이브리드 본딩 도입이 불가피한 상황이다.

삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 기업들은 차세대 AI 수요 대응을 위해 HBM4 이후부터 하이브리드 본딩 도입을 추진하고 있다.



카운터포인트 리서치는 HBM5가 하이브리드 본딩의 실질적인 전환점이 될 것으로 내다봤다. 이어 “SK하이닉스가 차세대 AI GPU 사이클에 맞춰 2029~2030년쯤 HBM5를 출시할 것으로 예상한다”며 “해당 시점을 기점으로 하이브리드 본딩이 본격적으로 양산 단계에 진입해 더 높은 성능과 효율을 구현할 것으로 전망한다”고 밝혔다.

곽소영 기자