삼성전자, 세계 최초 ‘HBM4’ 양산 출하 공식화

삼성전자, “HBM4 양산 출하” 공식 발표
전작 대비 핀 속도 1.22배·메모리 대역폭 2.7배 향상
올해 하반기 HBM4E도 샘플 출하 예정

삼성전자 HBM4 제품 사진
삼성전자 제공

삼성전자가 12일 업계 최고 성능의 고대역폭메모리(HBM)4를 세계 최초로 양산 출하했다고 공식 발표했다. HBM4 개발 착수 단계부터 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하면서 최선단 공정인 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다는 입장이다.

삼성전자의 HBM4는 HBM 적층 구조의 가장 아래층에서 전력과 신호를 제어하는 ‘베이스 다이’의 특성을 고려해 전력 효율 측면에 유리한 4나노 공정을 적용했다. 그 결과 삼성전자의 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했다. 전작인 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치로, 인공지능(AI) 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 해소하는 데 효과적일 것으로 기대된다.

단일 스택 기준 총 메모리 대역폭도 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올렸다. 용량의 경우 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB을 제공하며 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술도 적용 가능하다. 이 경우 최대 48GB까지 용량이 확장될 예정이다.

삼성전자는 HBM4에 이어 올해 하반기 HBM4E도 샘플 출하를 할 계획이다. HBM4가 본격 양산 출하되는 올해 전체 HBM 매출은 지난해 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망했다. HBM 수요가 확대되더라도 업계 최대 수준의 D램 생산 능력과 클린룸을 기반으로 단기간 내 유연하게 공급할 수 있다고 자신하고 있다. 특히 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 삼겠다는 전략이다.



황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 파운드리 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며 “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다.

곽소영 기자