삼성전자 4기가D램 세계 첫 개발
수정 2001-02-09 00:00
입력 2001-02-09 00:00
삼성전자는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 국제반도체학회(ISSCC)에서 0.10㎛ 공정기술을 적용한 차세대4기가 메모리반도체 제품 개발에 대한 기술논문을 발표했다.
4기가D램은 42억9,000만 비트(Bit) 용량으로 칩 1개에 영문글자 기준으로 5억자를 담을 수 있다.
김태균기자 windsea@
2001-02-09 1면
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