현대전자 차세대 메모리 탄탈륨막 제조기술 개발

현대전자는 차세대 메모리 소자 제조의 핵심기술인 탄탈륨 막을 이용한 칩 캐패시터 제조기술을 개발했다고 26일 밝혔다.

칩 캐패시터는 메모리 칩 내부에 전하를 저장하는 장소로 최근 메모리 소자의 집적도가 향상되고 크기가 축소됨에 따라 고용량의 전하 저장 기술이 요구돼 왔다.

현대전자는 탄탈륨 막을 칩 캐패시터에 입히면 기존의 질화·산화막보다 전하 보전 용량이 2배이상 늘어나고 누전도 막을 수 있다고 설명했다.현대전자는 이번 기술을 회로선폭 0.25㎛(1㎛는 1백만분의 1m)급 복합반도체공정기술에 적용하고 있으며 앞으로 0.18㎛이하의 차세대 D램 제조기술에 적용할 계획이라고 밝혔다.<朴先和 기자 [e-mail]>