초고속 고온초전도 전자소자 국내 첫 개발/과학기술원 연구팀

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정보처리 속도와 전력 소모량을 획기적으로 개선할 초고속 고온초전도 전자소자가 국내 처음으로 개발됐다.

한국과학기술연구원(KIST) 정보재료·소자연구센터 한택상·최상참박사팀은 2년동안의 연구 끝에 고온초전도체를 사용한 단자속 양자(SFO)소자를 제작,시험 작동하는데 성공했다고 18일 밝혔다.

이 소자는 액체질소의 온도(섭씨 영하 1백96도)에서 전기저항 없이 사용할 수 있는 고온 초전도체 박막을 이용해 만든 것이다.즉 두께 0.3미크론(1미크론은 1천분의 1㎜)의 고온 초전도 박막을 미세회로화해 조셉슨 접합(초전도체 사이에 얇은 절연층이 있는 구조)형태로 만든 다음 이를 집적시켰다.

이 제품은 기존 반도체 소자보다 정보처리 속도가 1백배 이상 빠른 반면 전력소모는 1천분의1 수준에 불과해 한꺼번에 많은 양의 정보 및 영상처리가 가능할 뿐만 아니라 소비전력이 적어 대형 전산처리 시스템 구축이 한층 용이해질 것으로 기대된다.

한택상 박사는 『초고속 정보통신망 구축은 물론 새로운 개념의 초고속 컴퓨터,첨단 군사장비등의 핵심 부품으로 폭넓게 응용될 수 있을 것』이라면서 2005년을 실용화 목표시기로 제시했다.

한박사팀은 이 연구결과를 이달말 독일과 7월초 네덜란드에서 각각 열리는 「국제 초전도 전자소자학회」와 「유럽 응용초전도학회」에서 발표할 예정이다.<신연숙 기자>